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广州金程科学仪器公司供应等离子刻蚀机,RIE反应离子刻蚀机采用RIE反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特 别适合于大学、科研院所,微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及 复杂的几何构形进行 RIE反应离子刻蚀。具体包括:
介 电 材 料 (SiO2、SiNx等)
硅基材料 (Si,a-Si,poly Si)
III-V材料 (GaAs、InP、GaN 等)
溅射金属 (Au、Pt、Ti、Ta、W等)
类金刚石 (DLC)
等离子刻蚀机原理:
等离子蚀刻,也称为干法蚀刻,等离子刻蚀机 是一种利用等离子体对半导体材料进行刻蚀加工的 设备,是半导体制造过程中的设备之一。 利用等离子体作为蚀刻介质,通过控制射频功率、 气体流量、压力、蚀刻气体种类、处理时间、平台 温度等工艺参数,选择性地移除沉积层特定部分的 材料,将图案蚀刻到基材上的过程。
应用领域:主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。
仪器特点:
7寸彩色触摸屏中英文互动操作界面,自动控制监测工艺参数状态,20个配方程序,工艺数据可存储追溯。
PLC 工控机控制整个清洗过程,手动、自动两种工作模式。
真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质,耐腐蚀无污染。
采用防腐数字流量计,实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统,可选多气路气体输送系统,可输入氧气、氩气、 氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
采用花洒式多孔进气方式,改变单孔进气不均匀问题。
HEPA 高效过滤,气体返填吹扫,防止二次污染。
符合人体功能学的60度倾角操作界面设计,操作方便,界面友好。
采用顶置真空舱,上开盖设计,下压式铰链开关方式。
上置式360度水平取放样品设计,符合人体功能学,操作更方便。
有效处理面积大,可处理最大直径154mm 晶元硅片。
安全保护,舱门打开,自动关闭电源,机器运行、停止提示。
等离子刻蚀机技术参数:
型号 | RIE200 | RIE200plus |
舱体内尺寸 | H38xφ260mm | H38xφ260mm |
舱体容积 | 2L | 2L |
射频电源 | 40KHz | 13.56MHz |
电极 | 不锈钢气浴RIE电极,φ200mm | 不锈钢气浴RIE电极,φ200mm |
匹配器 | 自动匹配 | 自动匹配 |
刻蚀方式 | RIE | RIE |
射频功率 | 0-600W可调(可选0-1000W) | 0-300W可调(可选0-600W) |
气体控制 | 质量流量计(MFC) (标配双路,可选多路)流量范围0-500SCCM(可调) | |
工艺气体 | Ar、N₂ 、O₂ 、H₂ 、CF4、CF4+H2、CHF3或其他混合气体等(可选) | |
最大处理尺寸 | φ154mm | |
产品尺寸 | L520xW600xH420mm | |
包装尺寸 | L700xW580xH490mm | |
时间设定 | 9999秒 | |
真空泵 | 抽速约8m³/h | |
气体稳定时间 | 1分钟 | |
极限真空 | ≤1Pa | |
电源 | AC220V 50-60Hz,802(1202)502(802)W所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。 | |
整机重量 | 38kg |
备注: 可选:1、冷却循环水器:温度控制范围-20-100℃;2、分子泵:分子泵抽速85L/s(N2) 极 限 真 空 :LF<8*10-
6Pa,CF<8*10-7Pa。
等离子刻蚀机信息由广州金程科学仪器有限公司为您提供。
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